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IM电竞【E问E答】如何减轻米勒电容所引起的寄生

2022-09-22 16:04
56次

  的米勒平台通达时刻。动的行使中教养是很明晰的米勒效应在单电源门极驱。电极C之间的耦合基于门极G与集,很高的瞬态dv/dt在合断期间会发生一个,E间电压降低而导通如斯会驱策门极VG,迫害(如图1)这是一个潜在的。

  电阻两端发生电压差这个电流发生使门极,BT的门极驱动门限阈值这个电压倘使超过IG,寄生导通将导致。会导致IGBT门极驱动阈值会有所降落操纵工程师应当意识到IGBT节温上涨,v/℃级的通常便是m。

  :第一种步骤是蜕变门极电阻(如图2)平时有三种古板的办法来管理以上题目;极E之间弥补电容(如图3)第二种步骤是处处门极G和射;负压驱动(如图4)第三种步骤是接收。以外除此,划即有源钳位技巧(如图5)另有一种大略而有效的统治计IM电竞。

  (S2)导通时当下管IGBT,勾引样会发生在S1上寄生米勒电容引起的导。

  T导通时间的门极充电电压和电流门极导通电阻RGON劝化IGB;门极充电的电压和电流增大这个电阻将减小,开放消磨但会增添。

  间增添电容来历G-E,功耗会添补驱动电源,IGBT的开关损耗也会加添好像的门极驱动电阻情形下。

  关断电阻RGOFF或许有效制胜寄生米勒电容引起的导完全过减小。能屈曲IGBT的合断消费越小的RGOFF同样也,散电感会发生很高的过压尖峰和门极震撼不过需要支拨的代价是在关断时辰由于杂。

  年年光里在比来几,位经管设计并带有胀和压降顾惜、欠电压顾惜高度集成的门极驱动器还是包含有源米勒钳,-331J和ACPL-332J有如AVAGO技巧的ACPL,业/耗费临蓐商来叙对产品部署者和物,繁杂度和产品尺寸这将抬高布置的。

  压来镇静关断给与门极负电,100A以上的操纵中卓殊是IGBT模块在,范的行使是很模。00A以下的行使中在IGBT模块1,原由思念处于本钱,动很少被接纳负门极电压驱。电压电路如图4典型的负电源。

  和成果、负电源供电弥补本钱等问题为了箝制RG优化题目、CG的消磨,来抑制缘由寄生米勒电容导致的料思不到的开放另一种体验门极G与射极E短道的措施被领受。极E之间添补三级管来完成这种步骤能够在门极G与射,达到某个值时在VGE电压,合(三级管)将触发处事门极G与射极E的短路开。旁途而不至于流向驱动器引脚VOUT云云流经米勒电容的电流将经历三极管。勒钳位技能(如图5)这种技术就叫有源米。

  拓扑中在半桥,(S1)正在导通当上管IGBT,人管IGBT(S1)C-E间发作转移的电压dV/dt加鄙。电阻RG、内部集成门极驱动电阻RDRIVER电流流经S2的寄生米勒电容CCG、门极驱动,1所示如图。如下公式举办估算电流大小约略可能:

  感染IGBT开合的特色G-E间增添电容CG将。爆发的门极充电电流CG分担了米勒电容,种环境鉴于这,入电容为CGCG’IGBT的总的输。电压需要更多的电荷(如图3)门极充电要到达门极驱动的阈值。


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